2. 您的位置
3. 首页
4. 期刊论文
5. Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barri

Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barri

来源 :null | 被引量 : 0次 | 上传用户：ttt11121

【作 者】

：

王盛凯  马磊  常虎东  孙兵  苏玉玉  钟乐  李海鸥 

【出 处】

：

null

【发表日期】

：

2017年05期

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文 赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献

智能电网广域输电系统可视化

期刊

当归复方在糖尿病治疗中的运用

期刊

Failure Analysis on High Temperature Reheater Tube of T23 Steel in a 660MW Thermal Power Plant Boile

会议

严重急性呼吸综合征肺脏及免疫器官淋巴细胞亚群分析

期刊

中西医临床医学专业建设探索与实践

期刊

基于AOD数据与GWR模型的2016年新疆地区PM_(2.5)和PM_(10)时空分布特征

期刊

Influence of ultra-thin TiN thickness(1.4 nm and 2.4 nm) on positive bias temperature instability(PB

期刊

Hybrid Aging Delay Model Considering the PBTI and TDDB

期刊

提高流动人口健康服务可及性

报纸

Trapping and Detrapping of Oxide Border Traps in Al_2O_3 Gate Dielectric in MoS_2 n-MOSFETs under PB

会议