MOCVD Alx Ga1-xN／GaN超晶格结构的界面与表面表征

来源 :厦门理工学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jnd411525477

【摘要】

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采用掠入射X射线反射谱技术和原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD Alx Ga1-xN／GaN超晶格结构的界面与表面进行了表征，将反射谱数据与X射线衍射结果结合获得了垒层组分及阱层宽度

【作者】

：

王元樟李金钗李书平陈航洋刘达艺康俊勇

【机构】

：

厦门理工学院数理系,福建省半导体材料及应用重点实验室

【出处】

：

厦门理工学院学报

【发表日期】

：

2010年1期

【关键词】

：

GAN基半导体异质结构高分辨率X射线衍射掠入射X射线反射谱原子力显微镜 GaN-based semiconductor heterostructure

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采用掠入射X射线反射谱技术和原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD Alx Ga1-xN／GaN超晶格结构的界面与表面进行了表征，将反射谱数据与X射线衍射结果结合获得了垒层组分及阱层宽度与界面粗糙度的关系．掠入射X射线反射谱的显著强度振荡与原子力显微镜所观察到的台阶流动形貌表明了平整的界面和表面的存在．研究发现，低Al组分（x=0．15）阱宽小的样品界面与表面粗糙度最小．

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