【摘 要】
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针对正面光照、背面光照及双面光照三种不同光照条件,利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了背表面场结构参数对 P型双面单晶硅太阳电池内量子效率（IQE）和短路电流密度（JS
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(No.11304020)
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针对正面光照、背面光照及双面光照三种不同光照条件,利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了背表面场结构参数对 P型双面单晶硅太阳电池内量子效率（IQE）和短路电流密度（JSC）的影响.仿真结果表明：在300-700 nm短波段范围,双面光照情况下的IQE主要由BSF结构对背面光照光生载流子的影响决定.在700-1200 nm 长波段范围,双面光照情况下的 IQE 主要由 BSF 结构对正面光照光生载流子的影响决定.当 BSF扩散深度一定时,随着 BSF表面浓度的增大,双面光照情况下JSC的变化特点与
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