表面浓度相关论文
采用离子注入对半导体器件的进行掺杂,能实现精确掺杂,在半导体器件制程过程中起着举足轻重的作用.文章主要探讨相同注入剂量,不同......
本文介绍并讨论了一种ｎ阱ＣＭＯＳ与ｎ沟ＳＣＣＤ兼容的集成电路工艺。采用这种工艺研制的模拟延迟积分器，工作电压为１５～１８Ｖ，采样频率达１．３ＭＨｚ。
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针对铝乳胶源涂布与气相镓相结合的开管受主双质扩散技术，本文就其掺杂机制进行了分析讨论
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采用铈钨材料作阴极比纯钨阴极灯的寿命要高得多。因为铈的逸出功比钨低得多,相应就降低了脉冲氙灯阴极发射点的温度。在氙灯放电......
本文叙述的是我们在TTL数字集成电路的浓硼隔离扩散时,硅片上产生的一种“白雾”现象的实验结果,并对产生“白雾” 的成因机理进行......
本文介绍了一种用固态磷扩散源作磷扩散的工艺方法与反应机理,工艺设备及扩散条件与结构参数的关系,同时实验地确定了该扩散工艺方......
近几年来,乳胶扩散逐步为人们所重视。由于它具有一系列优点而日益广泛地被应用于半导体器件生产工艺中。本文着重叙述在功率晶体......
集成电路正向高速、高集成度、高可靠性、低成本和低功耗方向发展,正在按比例缩小单元尺寸,因此迫切需要微细加工、薄层外延、低......
由于器件参数的要求使硼扩散表面浓度高,以及由于某些偶然因素使硼扩散表面浓度升高都会造成光刻中腐蚀困难.采用硝酸煮沸的方法可......
本文简要评述砷乳胶源的应用技术,讨论了控制表面损伤及获得浅结高浓度砷的某些重要因素,介绍该技术在高频功率器件上应用的实例.
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文中对压力传感器中用扩散法和离子注入法制作的电阻的温度系数进行了研究。实验结果表明，同扩散法制备的电阻相比，采用离子注入法制......
利用TCAD半导体器件仿真软件详细地分析了前表面场（FSF）表面浓度及扩散深度对N型插指背接触（IBC）太阳电池电学性能的影响。分析和评价......
用20CrMnTi和20CrMo钢制的试样，根据渗碳层深度分别为1.2mm和1.4mm的齿轮的技术要求，在装备有气体渗碳动态碳势控制CAD软件的渗碳炉......
本文导出了描述气体渗碳过程中工件表面碳浓度随处理时间变化的数学表达式，并通过文献中提供的实测数据进行了验证。......
首先,利用TCAD半导体器件仿真软件对比分析了在无前表面结构、N型前表面场(Front Surface Field,FSF)及P型前表面浮空发射区(Front......
在离子型表面活性剂水溶液中，表面活性剂分子自发地在空气一水界面形成了一个静电偶极层，不同液面之间的静电排斥力，使得液滴能够浮在......
纸源扩散由于工艺简单,周期短,成品率高,节约工艺费用的优点,在大功率硅整流元件的生产中获得了广泛地应用.本文通过应用实例对该......
利用计量的表面浓度cs代替常规法测定的吸附量ns所得到的吸附等温线,更客观地反映温度降低利于吸附(cs更大)的热力学原理.对吸附体......
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针对通常研究中普遍将研究重点集中在如何提高光电探测器受光区域的光电转换性能上而忽略了非光照区域的现状,从光电晶体管的非光......
针对正面光照、背面光照及双面光照三种不同光照条件,利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了背表面场结构参数对 P型双面单......
Fick第二定律通常被用来描述氯离子在混凝土中的扩散性质,对于Fick第二定律在钢筋混凝土结构寿命预测的应用,已经有许多学者对其进......
首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了在不同少子寿命的情况下,基区电阻率对常规P型单晶硅太阳电池输出特性的影响。然......
利用Silvaco-TCAD仿真软件全面系统地分析了发射区表面浓度（cE）、结深（xj）及发射区覆盖比率（EF）对P型前结背接触晶硅太阳电池输出特性的......
