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利用RF磁控溅射技术(Ar,N2和O2混合气体,Ti金属靶)制备TiO 2-xNx薄膜.用XRD和XPS对其结构和组成进行表征,结果表明:在实验系统中的N2含量在13%～17%之间,可以得到高质量的TiO 2-xNx薄膜,β-N为 TiO 2-xNx薄膜的主要成分;不同含N量的TiO 2-xNx薄膜的结构和组成的光学催化活性不同.