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用分子束外延（MBE）法在GaAs（100）衬底上生长GaSb薄膜，得到了GaSb薄膜的优化生长工艺条件。为了降低因晶格失配度较大所引起的位错密度，采扁低温（LT）GaSb作为缓冲层，研究了缓冲层的生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响，并以此说明缓冲层在GaSb薄膜生长中所起的作用。通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析，得到当低温GaSb缓冲层的生长速率为1．43μm／h时，GaSb外延层中的位错密度最小，晶体质量最好。