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针对金属硅化物／硅接触存在过渡层，提出了分析这种结构的肖特基接触特性的模型；讨论了过渡层厚度，界面电荷及有关参数的影响，分析了不同退火条件下ＰｔＳｉ／Ｓｉ肖特基二极管的特性。
过渡层和界面电荷对金属硅化物／硅肖特基接触特性的影响
【摘 要】
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针对金属硅化物／硅接触存在过渡层，提出了分析这种结构的肖特基接触特性的模型；讨论了过渡层厚度，界面电荷及有关参数的影响，分析了不同退火条件下ＰｔＳｉ／Ｓｉ肖特基二极管的特性。
【机 构】
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铁道科学研究院,宁夏固原师专物理系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1997年4期
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