Silicide相关论文
Comparative Study of Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition Ni by using Two Metallorganic Precursor
Nickel thin films were deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) by using metallorganic precursors a......
Intermetallic compounds,such as NbSi2 and MoSi2,have recently attracted much attention as potential coating materials be......
本文首次详细研究在介质隔离多栅纳米器件(FOI-FinFET)器件上源漏全金属化工艺.采用Ni (Pt)金属将源漏形成全金属化的fin,使器件接......
Microstructure and properties of nano-laminated Y_(3)Si_(2)C_(2) ceramics fabricated via in situ rea
A nano-laminated Y3Si2C2 ceramic material was successfully synthesized via an in situ reaction between YH2and SiC using ......
NbMoTiVSix refractory high entropy alloys strengthened by forming BCC phase and silicide eutectic st
In order to improve mechanical properties of refractory high entropy alloys, silicide was introduced and NbMoTiVSix (x =......
In this paper we investigate the formations and morphological stabilities of Co-silicide films using 1 8-nm thick Co lay......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
The characteristic of precipitation behavior of α2 phase and silicide,and the tensile properties at room temperature an......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Direct current arc discharge is used for the study on the synthesis of metallofullerenes (MFs) to discover whether there......
Nb-15W-18Si-xHf (x = 0, 5, 10 and 15, mole fraction, %) alloys were prepared by arc melting and then homogenized at1 750......
通过在硅(100)衬底上淀积的Co(3nm)/Ti(1nm)双金属层在不同退火温度下的固相反应,在硅衬底上制备了超薄外延CoSi2薄膜.在低温下,用......
利用XRD、OM、TEM等方法研究了Ti40合金吸氢与放氢后的组织演变规律。研究表明：由于氢在β相中的溶解度很高，Ti4合金中并没有发现氢......
利用XRD、OM、SEM、TEM分析方法研究了Ti600合金在高氢含量下微观组织的变化、相的析出行为等,并分析了高氢含量下Ti600合金除氢后......
一些硅的化合物具有良好的场发射特性，如果用作ＦＥＡ发射微尖表面的薄膜，将能较好地提高ＦＥＡ的发射特性，本文对这一类硅化物的制作，测量与性能作......
离子束混合(IM)形成铝硅化物的过程中,相的生成及相结构的转变与注入及后退火过程中外界给系统所提供的激活能有关。衬底加温IM时,......
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本文对用硅烷－氢混合气体在铜表面进行化学热处理获得的含硅表层进行了摩擦磨损研究。结果表明，在铜表面生成的含硅层可以降低摩擦系......
从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析，并提出了改进措施。结果表明，采用改进的复合镇流技术，不仅有......
分析研究了Ｃ－１０３铌合金改性Ｔｉ－Ｃｒ－Ｓｉ保护涂层氧化过程中结构的变化以及裂纹扩展过程。结果表明，涂层表面玻璃态氧化物性质、涂层主体中硅含量以及......
对厚度约为０．４μｍ的ＣｏＳｉ２多晶薄膜的织构进行了研究。Ｘ射线极图分析表明，薄膜表现出与以往文献中所报导的ＣｏＳｉ２薄膜安全不同的织构类型。在Ｓｉ（１１）衬底上织......
对厚度约为０．４μｍ的ＣｏＳｉ２多晶薄膜的电学性质进行了研究。在－２００℃￣２０℃温度范围，测定了ＣｏＳｉ２薄膜的电阻率。室温下，电阻率为９￣２０μΩ·ｃｍ。随着温度的降低，电......
针对金属硅化物／硅接触存在过渡层，提出了分析这种结构的肖特基接触特性的模型；讨论了过渡层厚度，界面电荷及有关参数的影响，分析了不同......
采用料浆法在铌合金表面制备了Ge改性的Si—Cr-Fe系高温抗氧化涂层，分析了涂层氧化前后的表面和截面形貌、组织成分、相的分布等。......
在反应自由能计算，ＤＴＡ和Ｘ射线衍射实验的基础上，从热力学和动力学角度系统分析了原位合成ＭｏＳｉ２－ＳｉＣ复合材料过程中相形成的基本规律，获得对合成工艺......
通过TEM观察了不同Zr含量Ti-1100合金中硅化物的析出形貌及分布规律，由实验结果、Ti-Zi-Si三元相图和相关文献推测了基于Ti-1100合......
采用光学显微镜（OM），透射电镜（TEM）研究了近α型TG6钛合金在不同热处理状态下硅化物的沉淀析出行为。结果表明，硅化物优先在原始B片层上......
基于侧墙自对准和金属硅化物等VLSI先进工艺实现全自对准的多晶硅反刻及栅源金属连接，并用氮化锆（ZrN）代替二氧化硅做硬掩模，由于氮化......
<正>Nb-15W-18Si-xHf(x = 0, 5,10 and 15, mole fraction, %) alloys were prepared by arc melting and then homogenized at 1 ......
用大束流密度的钼金属离子注入硅，由于原子间激烈碰撞和硅片的温升而得到了性能良好的硅化钼。实验中发现，当注量均为５×１０＾１７ｃｍ＾－２时，随束流......
提出一种采用铬的硅化物／铝的双层背电极的新型非晶硅ＰＩＮ太阳电池结构。研究了铬的硅化物的特性和具有双层背电极非晶硅ＰＩＮ太阳电池的热稳......
采用多层溅射技术制备了不同成分的ＷＳｉｘ／Ｓｉ薄膜，然后利用真空退火形成硅化钨．对用此技术制备的难熔金属硅化物的结构特性、电学特性和氧化特......
运用X 射线衍射（XRD）、Anger 电子能谱（AES）等方法研究了不同晶面取向的Si 衬底对Pd 硅化物薄膜形成的影响:在Si（111）衬底上,形成外延生......
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本文使用IERS(干涉增强喇曼散射),TEM和SIMS等方法研究了Pd/a-Si:H界面反应的热退火行为,发现Pd/a-Si:H界面在室温下形成非晶互混......
通过硅（111）衬底淀积的单层Co或Co/Ti双金属层不同退火温度的固相反应，在硅上形成制备了多晶和外延CoSi2薄膜，用电流－电压和电容－电压（I－V／C......
通过对硅（100）衬底上淀积的Co(3nm)/Ti(1nm）双金属层在不同退火温度下的固相反应，在硅衬底上制备了超薄外延CoSi2薄膜，在低温下，用弹道子......
分别采用具有硅化物和不具有硅化物的SOI工艺制成了部分耗尽SOI体接触nMOS晶体管．在体接触浮空和接地的条件下测量了器件的关态击穿......
Manganese silicide MnSi2-x thin films have been prepared on n-type silicon substratesthrough solid phase reaction. The h......
Mo silicides MosSi3 with high quality were prepared using ion beam deposition equip-ment with two Filter Metal Vacuum Ar......
超高真空条件下,在Si(100)衬底上相间蒸镀稀土金属铈(200埃)和硅(200埃)薄膜,形成多层膜结构,并对其进行恒温炉退火和红外快速退火......
本文详细讨论了离子束混合下,Ce/Si〈100〉双层膜体系界面反应的动力学过程以及硅化物的形成规律.样品经150KeV Ar离子注入,辐照温......
本文用RBS,AES,TEM和X射线衍射等实验方法,分析比较了Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系统在室温下As离子混合和热退火的行为.得出在Ni/Si系统中......
本文对用分层电子束蒸发法形成的TiSi<sub>x</sub>/GaAs的肖特基接触特性进行了研究,分析了不同组分下经快速退火和常规退火后TiSi......
本文报道了利用ＸＲＤ、ＲＢＳ、ＳＰＲ、ＡＥＳ、ＳＥＭ、ＴＥＭ和Ｋｅｌｖｉｎ电阻桥法（ＣＢＫＲ）等测量技术系统地研究化钛／硅，硅化钴／硅欧姆接触特性。实验结果表明：硅化钛（硅化钴）／硅欧姆接触电阻......
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Suppression of oxygen and carbon impurity deposition in the thermal system of Czochralski monocrysta
When preparing large monocrystalline silicon materials,severe carbon etching and silicide deposition often occur to the ......
