【摘 要】
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利用数值模拟技术对Si1-xGex单晶生长过程中的热传输和温度分布情况进行了模拟分析,并以此为条件对晶体生长过程中不同阶段下,不同埚转速度对晶体生长稳定性的影响进行了对比
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所,
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利用数值模拟技术对Si1-xGex单晶生长过程中的热传输和温度分布情况进行了模拟分析,并以此为条件对晶体生长过程中不同阶段下,不同埚转速度对晶体生长稳定性的影响进行了对比分析,获得了相应的数据。对优化晶体生长条件参数、提高晶体生长稳定性和晶体质量具有较好的指导意义。
The heat transfer and temperature distribution in the growth process of Si1-xGex single crystal were simulated by numerical simulation, and the effects of different rotating speeds on the growth stability of the crystal were investigated under different conditions. Conducted a comparative analysis, obtained the corresponding data. It has good guiding significance for optimizing parameters of crystal growth conditions, improving crystal growth stability and crystal quality.
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