直拉法相关论文
氧化镓晶体是继碳化硅和砷化镓之后发展起来的第三代半导体材料,在未来具有广阔的应用前景。由于氧化镓的低热导率、高普朗特数、......
针对目测法无法及时发现直拉单晶硅在等径生长阶段发生的掉苞问题，提出一种基于ISOMAP-DE-SVM的掉苞预测模型，可以在掉苞现象发生之......
基于有限体积法得到单晶炉腔内的温度场，研究加热功率、晶体转速以及坩埚转速对液-固界面的影响。计算结果表明，加热功率对液-固界面......
用高压液封直拉法(LEC法)制备单晶,关键问题是解决直径控制,其直径控制的精度,直接影响到单晶的完整性和位错密度.本文阐述了LEC法......
随着集成电路产业的迅猛发展,器件制造商对IC级硅单晶材料提出了更加严格的要求.而大直径单晶硅是制备器件所必须的衬底材料.由于......
本文报道了用直拉法生长新型压电材料LaGaSiO晶体进行的研究.采用化学计量比混合GaO、LaO及SiO粉末后直接熔融合成LaGaSiO多晶料;......
采用傅立叶红外光谱(FTIR)测试技术,研究了掺锗CZSi的常温和低温红外吸收光谱.发现高浓度Ge的掺入在Si中引起了710cm和800cm等新吸......
用直拉法生长硅单晶时,采用热解石墨制作的加热器及保温罩代替一般的石墨制件,有效地避免了碳对硅单晶的沾污。
Czochralski grow......
通过热场实验、拉晶参数实验与电阻率控制实验，研究了重掺砷＜１１１＞硅单晶的位制工艺，制备出无位错的Φ１００ｍｍ单晶，成品率达３３．８５％。还探讨了简便、高效的......
利用汽压控制直拉（ＶＣＺ）法，成功地生长了ＩｎＰ和ＧａＡｓ单晶，其位错密度十分低，比液封直拉法生长的单晶要小一个数量级。ＶＰＥＧａＡｓ衬底的剩余应力是ＬＥＣ衬底的１／４。当分子......
测量了掺锗ＣＺＳｉ中锗的纵向分布形式，发现硅中锗的分布是头部低尾部高，其有效分凝系数Ｋｅ≈０．６６±０．０１．
The longitudinal distribution of germanium......
将高剂量 ( 1× 1 0 17/cm2 ) Si+ 注入热氧化 Si O2 薄膜 ,在～ 5.0 e V( 2 65nm)激光的激发下 ,观测到 2 .97e V、2 .32 e V和 1 .......
我国第一根蒸汽压控制直接法(ＶＣＺ)101ｍｍ(4英寸)砷化镓单晶近日在北京有色金属研究总院拉制成功,这标志着我国半导体材料研制技术又达到......
自66年Frant用氟化镧单晶试制成功氟离子选择性电极(简称氟电极,下同)以来,氟电极已广泛应用在水质,生物化学、医学、岩矿、冶金......
提出了在开发一种先进的直拉法晶体生长控制系统中占据重要地位的设备及工艺特征的下位机模型;分析所采集到的实验数据,揭示出控制......
一、硅材料发展水平最近,国外制造大功率硅可控整流器使用的材料,大多采用区熔单晶,因为区熔单晶比拉制单晶具有以下几个优点: (1......
近日,国家863计划项目“超大规模集成电路配套材料”重大专项中的“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”项目在北京正式通过科技......
1.问题的提出我厂是生产鍺单晶的专业工厂,采用直拉法生长单晶。为了获得高质量的单晶,除了保证单晶炉温场设计合理,机械运行稳定......
在Kayex CG6000单晶炉上采用优化的350 mm密闭式热场,在23~25 r/min高晶转下用直拉法拉制出了Φ76.2~125 mm、n型高阻晶向Si单晶,......
北京有色金属研究总院研究开发的我国首套蒸汽压控制直拉法 (ＶＣｚ法 )晶体生长系统和工艺技术 ,7月末该九五国家重点攻关项目通过国家......
硅单晶材料是重要的半导体材料,硅单晶的发展不仅深刻影响着通讯、高速计算、大容量信息处理、空间防御、电子对抗以及武器装备的......
1.硅价格:1982年多晶硅美国市场价格为$60～7.0美元/公斤;西德伐克公司为$63.77美元/公斤;日本曾从美国进口多晶硅的价格为$40美元/......
使用普通的直拉法生产单晶硅将形成大量氧复合体。高温处理硅时,这些氧杂质的存在能导致各种各样的晶体缺陷。然而,通过精心的控制......
GSGG—G_(d3)S_(c2)G_(a3)O_(12)也称钆钪镓柘榴石是在1800℃(熔点约1750℃)以上的高温下用直拉法拉制而成,其激光波长为1.06微米......
日本三菱材料公司和日本硅公司开发了半导体用单晶硅连续直拉法(SCCZ法),日本硅公司新装一台连续直拉专用炉,经连续试验后定于199......
硅单晶及其外延现在的电子元器件90%以上都是由硅材料制备的,全世界与硅相关的电子工业产值已超过1万亿美元.直拉法是目前主要用于......
简要介绍一种控制高温氧化物晶体和生长设备， 通过与国内外同类炉型相比较，着重对该设备的机械结构设计特点及电气控制系统作较详细......
采用新工艺、新技术对激光、氧化物晶体生长炉的提拉装置进行全新设计，并对其精度进行了综合分析。该提拉装置精度高、稳定性好，适合......
本文在论证了径压法测定冻土抗拉强度具有良好规律的基础上，进一步探讨试样长度对测定结果的影响问题以及计算方法的修正问题。长度......
日本超导技术实验室用 CZ 法成功地制备了一只钇系超导单晶,此单晶为5mm 见方的四角形晶体。生长用熔体配料为5%钇、30%钡及65%铜......
利用阴极充氢法，向硅单晶表面注入氢离子，用化学浸蚀法观察晶体表面氢与层错间的相互作用层错，特别是Frank半位错在硅单晶表面的露头......
采用直拉法研制了大直径红外光学锗单晶，测量了其光学性能和力学性能。
A large diameter infrared optical germanium single cry......
当今的世界进入了一个高度发展的信息社会时代,计算机技术广泛应用于国民经济的各个领域,大规模(LSI)及超大规模集成电路(VLSI:Ve......
1426研究所1978年度学术年会于1978年12月19—21日在本所召开,应邀参加年会的有北京大学杜连耀教授、南京大学吴文虬付教授、成都......
由中国发光学会发起并委托苏州半导体总厂承办的发光二极管专业学术讨论会,于九月五日至九日在苏州召开。与会代表来自全国有关研......
日本电电公社武藏野电气通信研究所试制成功了15级的E/D结构的GaAsFET环形振荡器,每门延迟时间为19.6ps,功耗为8.6mW/门,这是室温......
三菱金属公司获得了用直拉法生长取向砷化镓(GaAs)单晶的工艺。用普通单晶生长法生长的取向 GaAs,只能获得椭圆形晶片,而用新法得......
本文是以半导体工业中所使用的“硅”作为对象,在介绍硅的最近制造技术的进步以前,打算不涉及有关用电炉等把硅石还原成“金属硅......
在Si引入深能级杂质Au,可以用来制作高灵敏感温元件。Au在Si中具有双重能级,其固溶度低,分凝系数很小,易发生非活性沉淀,又有较大......
硅单晶作为半导体材料,具有极优良的特性。至今尚未找到能够代替它的材料。关于它的制法,在原理上早就知道不少。随着半导体器件......
