ZnO—B2O3—SiO2系统的介电性能研究

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对ZnO-B2O3-SiO2三元系统进行了XRD和介电性能研究,提出系统的主晶相为方石英,另外还存在Zn2SiO4相。Zn2SiO4的ε为7.7,tgδ≤5×10^-4,αc(介电常数温度变化率)为+90×10^-5/℃。调整各组分,获得一系列αc〉0的超低介电常数的介质陶瓷,其中介电性能为:ε≤5,Ri≥10^13Ω,αc=0±30×10^-5/℃的组分,其烧结温度为1140℃,可用来制造高频低
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