【摘 要】
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对利用MBE技术生长的Hg0.68Cd0.32Te薄膜进行了光致发光和喇曼光谱的研究.拟合薄膜光致发光谱得到的禁带宽度,与用红外透射谱得到的薄膜带宽相近;其半峰宽仅为5meV;带尾能量小于1.3meV,显示了较高的薄膜质量.喇
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室及半导体薄膜材料研究中心
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对利用MBE技术生长的Hg0.68Cd0.32Te薄膜进行了光致发光和喇曼光谱的研究.拟合薄膜光致发光谱得到的禁带宽度,与用红外透射谱得到的薄膜带宽相近;其半峰宽仅为5meV;带尾能量小于1.3meV,显示了较高的薄膜质量.喇曼光谱测试表明,在119cm-1和138cm-1处有较强的喇曼散射峰,其中119cm-1峰为类HgTe的TO模,138cm-1为类HgTe的LO模;在93cm-1处也可以观察到一个较弱的喇曼散射峰.
The photoluminescence and Raman spectra of Hg0.68Cd0.32Te thin films grown by MBE technique were studied. The forbidden band width of the fitted photoluminescence spectrum is close to that of the film obtained by infrared transmission spectrum. The half width of the band gap is only 5 meV and the band tail energy is less than 1.3 meV, which shows the high film quality. Raman spectroscopy showed that there were strong Raman scattering peaks at 119cm-1 and 138cm-1, of which 119cm-1 peak was TO-mode HgTe-like and 138cm-1 was LO mode HgTe-like. A weaker Raman scattering peak can also be observed.
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