光致发光(PL)相关论文
基于有机-无机杂化卤素钙钛矿CH3NH3PbX3(X为卤素)的薄膜型太阳能电池效率目前达22％，成为效率最高且最有发展潜力的薄膜电池之一。但......
本文运用电子束蒸发的方法制备了厚度约300nm的Er-Si-O薄膜，并且通过高温热处理将硅纳米晶和铒硅化合物颗粒引入到SiO2基质中，实现了......
随着发光二极管(LEDs)、激光二极管(LDs)、高频晶体管等半导体器件的迅速发展,InN已经被证实是一种非常重要的Ⅲ族氮化物半导体材......
采用溶胶-凝胶法制备了Tb3+掺杂的SrTiO3纳米晶粉末,并对样品进行了X射线衍射（XRD）、场发射扫描电镜（FESEM）、光致发光（PL）谱及光致发光......
为了得到发光效率较好的长波长红色荧光粉,采用高温固相法成功地合成了适合紫外激发的红色荧光粉Ca0.5-x Sr0.5MoO4:xSm3+,研究了......
利用飞秒脉冲激光沉积（PLD）法在Si（100）基片上制备大面积均匀的ZnO薄膜，通过激光束、靶材及衬底的运动使得所制备的薄膜均匀性面积大小......
为获得高质量的良好取向和低成本的ZnO纳米线阵列，利用化学浴沉积法，在石英玻璃基底上制备ZnO纳米线阵列，在Ar气气氛中对ZnO纳米线阵......
用Cu离子交换技术,制备了soda-lime玻璃平面光波导。通过棱镜耦合技术测量了波导的有效折射率,用反WKB方法拟合得到了平面波导的折......
以多磷酸钠为分散剂,采用水相共沉淀法制备了Mn2+掺杂的ZnS量子点,通过X射线衍射(XRD)谱、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)图像、紫外......
提出了一种通过发光光谱估计发光二极管（LED）正向电压的方法。推导了LED正向电压与结温的关系,探讨了利用发光光谱估计结温的方法,从......
利用脉冲激光沉积(PLD)分别在Si片和多孔Si衬底上沉积了ZnS薄膜,考察衬底对ZnS薄膜结构和发光性能的影响。X射线衍射(XRD)和扫描电......
第三代半导体材料氮化镓(GaN)是一种直接带隙宽禁带半导体,具有较高的电子饱和速度及载流子迁移率、高热导率、出色的击穿强度和耐......
用电化学阳极氧化法制备了不同孔隙率的多孔硅(PS)样品,然后用脉冲激光沉积(PLD)法在其表面生长ZnS薄膜,研究ZnS/PS复合体系的结构......
用双离子束溅射法制备了SiOxNy薄膜,并对薄膜的结构和光致发光(PL)性质进行了研究。XRD和TEM的实验结果表明薄膜是非晶结构;用XPS......
采用电子束蒸发在n-Si(100)衬底上沉积Ag掺ZnO(ZnO:Ag)薄膜,随后在200 Pa的O2气氛下分别在500、600、700和800℃退火4 h。用X射线......
以醋酸锌（Zn（CH3COO）2）、氯化铕（EuCl3）水溶液为前驱体,采用超声喷雾热解（USP）方法在ITO导电玻璃衬底上沉积Eu掺杂ZnO（ZnO：Eu）薄膜。通过扫描......
采用脉冲激光沉积（PLD）技术在Si（111）衬底上生长了Eu3＋、Li＋共掺杂的ZnO薄膜。分别对样品进行了X射线衍射（XRD）谱测试和光致发光（PL）谱分析,......
对使用 MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型 In Ga N样品进行了光致发光 (PL)、霍耳 (Hall)及扫描电镜 (SEM)测量 .结果表明 :适当......
对利用ＭＢＥ技术生长的Ｈｇ０．６８Ｃｄ０．３２Ｔｅ薄膜进行了光致发光和喇曼光谱的研究．拟合薄膜光致发光谱得到的禁带宽度，与用红外透射谱得到的薄膜带宽相近；其半峰......
主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了 GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激......
介绍了纳米ZnO常见发光谱的发光机制。在室温光致发光谱(PL)中,一般在380 nm处出现紫外发光,也有报道在357和377 nm处的紫外发光,......
应用蒸镀-阳极氧化法制备结构为ITO/PS/p-S i/A l的多孔硅电致发光器件,在7.5V电压下实现了数小时连续电致发光.实验表明,多孔硅电......
采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上制备了Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜,分别在450,500,550和600℃条件下进行退火,退火气氛为真......
采用溶胶-凝胶（sol-gel）法制备了Eu掺杂的SiO2干凝胶，分别用光致发光（PL）光谱、透射电镜（TEM）、扫描电镜（SEM）、红外吸收（IR）谱等分析手段对样......
采用双离子束溅射法制备了SiNx薄膜,用XRD、XPS、FTIR等对薄膜的结构进行了表征,并且分析了样品的光致发光(PL)特性.发现在225 nm......
研究了基于InGaAsP/InP应变多量子阱片的氩等离子体诱导量子阱混合工艺方法.当等离子刻蚀机（ICP）的射频（RF）功率为480W、ICP功率为500W......
在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径,提出了一种新型阳极氧化方法,并探讨了该方法所涉及的阳极氧化条件.采用......
常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx：H 薄膜进行低能量高剂量的C^＋注入后,在800～1 200 ℃高温进行常规退火处理.X......
采用等离子体化学气相沉积系统生长非晶硅薄膜并用原位等离子体氧化的方法制备出具有不同子层厚度的非晶Si／SiO2多层膜，然后利用限制......
以ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜，研究了新制备ＳｒＳ∶Ｃｅ膜的光致发光（ＰＬ）性能和它的电致发光（ＥＬ）器件的电致发光性能，并与直......
采用热蒸发技术在镀金Si衬底上实现了ZnO纳米网状结构制备．利用扫描电子显微镜、X射线衍射及光致发光技术对ZnO纳米结构的形貌、晶......
以Zn（CH_3COO）_2·2H_2O、KOH和MnCO_3为原料,采用水热法制备出ZnO纳米棒和Mn掺杂ZnO纳米线.利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、......
采用独特的高分子溶液白组装生长方法，在经化学镀预处理的基底上利用高分子溶液的网络络合效应制备了ZnO纳米线．通过场发射扫描电子......
依据阴极射线致发光的电压依赖曲线，对荧光管内荧光颗粒的电荷进行了研究。商用荧光粉制作的荧光屏，具有表面束缚电子（SBE）。由于来自S......
本研究以硅片为衬底，热蒸发一氧化硅粉末在较低温度下合成了大量直径均匀的非晶SiO2纳米线。这些纳米线直径分布在15nm～40nm之间，长度......
主要通过低温和室温变功率光致发光（PL）谱的实验手段,研究了 GaN纳米柱和对应薄膜（作为参考）的量子效率表现.实验中发现在室温,激发光......
采用多源高真空有机分子束沉积系统（OMBDs）,将两种有机小分子材料PBD和Alq3以交替生长的方式,制备了不同厚度的PBD/Alq3有机多层量子......
利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）生长了InGaN/GaN多量子阱（MQWs）结构,研究了生长停顿对InGaN/GaN MQWs特性的影响.结果表明,采用生......
采用溶胶–凝胶法在普通玻璃衬底上制备了ZAO（ZnO：Al）薄膜，利用XRD、SEM、紫外–可见光谱和光致发光光谱对所制备的AZO薄膜进行了表征，......
采用脉冲激光沉积（PKD）技术，在Si（100）衬底上制备出高度C轴取向的ZnO薄膜。通过测量X射线衍射（XRD）谱、扫描电镜（SEM）和光致发光（PL）谱，研究了......
用双离子束溅射法制备了SiOxNy薄膜，并对薄膜的结构和光致发光（PL）性质进行了研究。XRD和TEM的实验结果表明薄膜是非晶结构,用XPS对样......
利用介孔二氧化硅为载体,将罗丹明B(RhB)分子嵌入其中,获得了纳米复合材料.测量了光致发光谱,观察到纳米孔中小分子的光致发光蓝移......
分别采用溶胶-凝胶法（sol-gel）和水热反应制备了掺杂Eu的SiO2干凝胶、发光薄膜，通过荧光（PL）光谱、透射电镜（TEM）、扫描电镜（SEM）、原子力显......
近几年, 宽禁带纳米ZnO已成为材料科学研究中一个热门课题. 这一方面是因为ZnO是制作传感器和气敏元件等不可缺少的原料[1,2]; 另......
应用蒸镀-阳极氧化法制备结构为ITO／PS／p-Si/Al的多孔硅电致发光器件，在7．5V电压下实现了数小时连续电致发光．实验表明，多孔硅电致发光峰......
用微乳液法合成了ZnS：Tb／SiO2核壳结构纳米晶，并通过X射线粉末衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、荧光光谱等手段对产物的结构、尺寸、形貌......
以Zn（NO3）2·6H2O、NaOH和聚乙二醇（PEG，Mn=2000）为原料，采用微波水热法制备了结晶性能良好的ZnO纳米棒及其3D组装结构。利用EDS、XP......
