【摘 要】
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采用Ｔ．Ｂ－ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法，计算（ＣｄＳｅ）ｍ／ （ＺｎＳｅ）ｎ超田格应变半导体材料的总态密度、局域 态密度和分波态密度．论述了Ａｌ、Ｎａ、Ｏ、Ｐ等杂质及应变对（ＣｄＳｅ）ｍ ／（ＺｎＳｅ）ｎ超晶格应变半导体的 影响，并分析了相应状态下的要质能级，由此得出一些对
【机 构】
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沈阳工业大学教务处!辽宁沈阳110023,沈阳工业大学电子工程系!辽宁沈阳110032,沈阳工业大学建筑工程系!辽宁沈阳110023
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采用Ｔ．Ｂ－ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法，计算（ＣｄＳｅ）ｍ／ （ＺｎＳｅ）ｎ超田格应变半导体材料的总态密度、局域 态密度和分波态密度．论述了Ａｌ、Ｎａ、Ｏ、Ｐ等杂质及应变对（ＣｄＳｅ）ｍ ／（ＺｎＳｅ）ｎ超晶格应变半导体的 影响，并分析了相应状态下的要质能级，由此得出一些对新材料研究有重要参考价值的结论．
Using T. B-recursion method was used to calculate the total state density, the local state density and the decoupled state density of the (superscript) (superscript) / (ZnSe) n semiconductor. The effects of Al, Na, O, P and other impurities and strain on (CdSe) m / (ZnSe) n superlattice strained semiconductors are discussed, and the order of energy levels in the corresponding states are analyzed. Material research has important reference value conclusion.
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