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采用低压化学气相沉积方法，依靠纯SiH4气体的热分解反应，在SiO2表面上自组织生长了Si纳米量子点。实验研究了SiO2膜的薄层化对Si纳米量子点光致发光特性的影响。结果表明，当SiO2膜厚度减薄至6nm以下时，Si纳米量子点中的发生载流子会量子隧穿超薄SiO2层，并逃逸到单晶Si衬底中去，从而减少了光生载流子通过SiO2/Si纳米量子点界面区域内发光中心的辐射复合效率，致使光致发光强度明显减弱。测试温度的变化对Si纳米量子点光致发光特性的影响，则源自于光生载流子通过SiO2/Si纳米量子点界面区域附近非