【摘 要】
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随着光刻技术进入亚微未领域,对准精度的要求变得更棘手。对准精度是对准信号强度的函数。因此,为了减少对准偏差,提高管芯成品率,基于实验室的工艺数据,在ASM步进器上对0.8
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随着光刻技术进入亚微未领域,对准精度的要求变得更棘手。对准精度是对准信号强度的函数。因此,为了减少对准偏差,提高管芯成品率,基于实验室的工艺数据,在ASM步进器上对0.8μmEPROM多晶-1细致地进行了对准信号强度模拟实验。模拟实验的对准标记深度为112.7～126.5nm(假设在阱掩蔽氧化过程中,硅消耗46％)。第一层栅氧化层厚度为20±2.0nm,多晶-1层的厚度定为150nm,变化范围是135～170nm。在早期的工艺开发期间,多晶-1层所使用的抗蚀剂厚度是1.23μm,常得不到令人满意
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