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采用磁控溅射方法制备了Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜.研究了薄膜的电阻随温度的变化以及薄膜的晶化激活能.通过透射电子显微镜比较了晶化前后Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜的截面多层结构.制备了基于[GT(7nm)/ZS(3nm)]5多层复合薄膜的相变存储器件,并测试了其电性能.研究表明,Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜具有较好的非晶态热稳定性和数据保持力,其器件具有较快的转变速度、较低的操作功耗和较好的循环性能.Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复