沟槽栅功率MOSFET导通电阻的模拟研究

来源 :北京工业大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jplang

【摘要】

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为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻,提出了一种改进的trench MOSFET结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质掺杂对器件导通电阻和击穿电压的影响,通过对

【作者】

：

王颖程超胡海帆

【机构】

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哈尔滨工程大学信息与通信工程学院

【出处】

：

北京工业大学学报

【发表日期】

：

2011年3期

【关键词】

：

沟槽栅MOSFET 导通电阻击穿电压器件仿真 trench MOSFT on-resistance breakdown voltage device sim

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为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻,提出了一种改进的trench MOSFET结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质掺杂对器件导通电阻和击穿电压的影响,通过对常规trench MOSFET和这种改进的结构进行仿真和比较,得出了击穿电压和导通电阻折中效果较好的一组器件参数.模拟结果表明,在击穿电压基本相当的情况下,新结构的导通电阻较之于常规结构降低了18.8%.

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