沟槽栅MOSFET相关论文
针对沟槽栅纵向双扩散场效应晶体管（trench-gate MOSFET）,提出了一种新型的SPICE模型.通过对沟槽栅MOSFET器件的物理特性及其内在结......
本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析，并在此基础上分别对两种典型结构的沟槽栅MOSFET和e—JFET在不同工作频率下的功......
为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻,提出了一种改进的trench MOSFET结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质......
传统MOS器件的阈值电压模型被广泛地用于分析Trench MOSFET的阈值电压,这种模型对于长沟道和均匀分布衬底的MOS器件来说很合适,但......
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