【摘 要】
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为了精准测量电子材料在特定微波工作频率的介电损耗,提出一种基于微波光子晶体缺陷模特性的材料介电损耗测量方法。利用缺陷微波光子晶体结构的微波局域特性,将被测材料设计为微波光子晶体的缺陷层结构;采用传输矩阵方法计算和模拟了缺陷透射峰值与被测材料介电损耗之间的关系。结果表明,被测材料的介电损耗因数与缺陷透射峰值呈显著的单值函数关系,当介电损耗因数从0增加到1.0时,缺陷透射峰值从1.0降低到0.21。因此,通过实验检测到被测材料缺陷透射峰值后,利用所建立的材料损耗因数与透射峰值之间的关系,可以非常灵敏地反演出被
【机 构】
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南京信息工程大学工程训练中心,南京信息工程大学电子与信息工程学院
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为了精准测量电子材料在特定微波工作频率的介电损耗,提出一种基于微波光子晶体缺陷模特性的材料介电损耗测量方法。利用缺陷微波光子晶体结构的微波局域特性,将被测材料设计为微波光子晶体的缺陷层结构;采用传输矩阵方法计算和模拟了缺陷透射峰值与被测材料介电损耗之间的关系。结果表明,被测材料的介电损耗因数与缺陷透射峰值呈显著的单值函数关系,当介电损耗因数从0增加到1.0时,缺陷透射峰值从1.0降低到0.21。因此,通过实验检测到被测材料缺陷透射峰值后,利用所建立的材料损耗因数与透射峰值之间的关系,可以非常灵敏地反演出被
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