P+多晶Si1-xGex功函数对异质结CMOS器件电学特性影响的模拟研究

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chaska

【摘要】

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为使垂直层叠SiGe/Si异质结CMOS器件具有匹配的阈值电压,利用二维器件模拟器MEDICI模拟分析了p+多晶Si1-xGex栅的功函数对此类器件直流与交流特性参数的影响,得出在P+多晶Si1

【作者】

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舒斌张鹤鸣王伟宣荣喜宋建军任冬玲吴铁峰张永杰

【机构】

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西安电子科技大学微电子学院

【出处】

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电子器件

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

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异质结CMOS p+多晶Si1-xGex栅 MEDICI模拟功函数

【基金项目】

：

武器装备预研基金;

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为使垂直层叠SiGe/Si异质结CMOS器件具有匹配的阈值电压,利用二维器件模拟器MEDICI模拟分析了p+多晶Si1-xGex栅的功函数对此类器件直流与交流特性参数的影响,得出在P+多晶Si1-xGex功函数W=0.85 eV,即Ge组分x=0.36时,此类器件的p-MOSFET与n-MOSFET具有匹配的阈值电压,分别为VTp=-0.215 V和VTn=O.205 V.为此类器件的优化设计和制备提供了理论依据.

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