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为了降低TD-LTE终端功耗，采用0．13－μmCMOS工艺实现了一款基于TD-LTE终端的连续时间∑△ADC。采用该ADC的TD-LTE接收机省去了传统接收机中的低通滤波器，节省了功耗。该ADC采用了3阶、3位量化的结构，并用较简单的方法实现了多余环路延迟（ELD）的补偿。该ADC的硅片测试结果显示在TD-LTE的20MHz带宽下实现了66dB的动态范围，功耗为25．1mA。