【摘 要】
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分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响，给出了器件各结构参数的优化方向，找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区．在部分耗尽与全耗尽SOI器件的交界处，阈值电压
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分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响，给出了器件各结构参数的优化方向，找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区．在部分耗尽与全耗尽SOI器件的交界处，阈值电压的漂移有一个峰值，在器件设计时应避免选用这一交界区．此外，随着硅膜厚度的减小，器件的泄漏电流随着沟道掺杂浓度的不同，有一个极小值．通过模拟分析发现，只要合理选择器件的结构参数，就能得到性能优良的SOI器件．
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