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采用高温溶液生长法生长铁电Bi4-xNdxTi3O12（BNdT）单晶，并研究了BNdT的结构和电学性能．XRD结构精修的结果表明Nd掺杂将导致晶格常数和晶胞体积发生变化，铁电性能的测试表明Nd掺杂降低了BNdT单晶的剩余极化，BNdT的自发极化的估算和铁电测量结果有着相同的变化趋势．Nd的A位掺杂同时也导致BNdT单晶沿各个方向漏电流密度的减小，而由于（Bi2O2）^2＋层的存在，BNdT单晶沿c方向显示出更低的漏电流密度．