【摘 要】
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目前,FET振荡器在C波段、X波段的制作较为成熟,应用也较为普遍。但受条件的限制,制作更高频率的FET振荡器很困难。采用谐波振荡技术可有效地克服GaAs FET工作频率受器件限制
【机 构】
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南京工学院无线电工程系,南京工学院无线电工程系,
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目前,FET振荡器在C波段、X波段的制作较为成熟,应用也较为普遍。但受条件的限制,制作更高频率的FET振荡器很困难。采用谐波振荡技术可有效地克服GaAs FET工作频率受器件限制的缺点,GaAsFET既是振荡管又是倍频管,谐波振荡器的示意图如图所示。
Currently, FET oscillator in the C band, X-band production is more mature, the application is more common. However, due to limitations, making higher frequency FET oscillators is difficult. The use of harmonic oscillation technology can effectively overcome the disadvantage of GaAs FET operating frequency limited by the device, GaAsFET is both oscillating and frequency doubling tube, harmonic oscillator diagram shown.
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