极低内部光学损耗975 nm半导体激光器

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【摘要】

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通过对波导结构和P包层的掺杂分布进行优化,减少了光场与P包层掺杂区的交叠,从而减小了半导体激光器的内部光学损耗.同时使用宽带隙GaAsP作为势垒层可以减少有源区载流子泄露

【作者】

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曼玉选仲莉马骁宇刘素平

【机构】

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中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心,北京100083;中国科学院大学电子电器与通信工程学院,北京100049;中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049

【出处】

：

光学学报

【发表日期】

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2020年19期

【关键词】

：

激光器内损耗高功率非对称掺杂

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通过对波导结构和P包层的掺杂分布进行优化,减少了光场与P包层掺杂区的交叠,从而减小了半导体激光器的内部光学损耗.同时使用宽带隙GaAsP作为势垒层可以减少有源区载流子泄露,实现了内部光学损耗为0.259 cm-1.所制备的975nm波长、100 μm条宽、4 mm腔长单管器件,在室温下器件的连续输出光功率达到21W.当输出功率为20 W时,功率转换效率仍大于50％.

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