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采用三层胶光刻工艺以及ＳＦ６＋Ａｒ为反应气体的反应离子刻蚀工作，实现了小于０．５０μｍ的图形转移，并将此微细加工工艺应用于０．５０μｍＣＭＯＳ集成电路的制做。
亚微米光刻与刻蚀工艺研究
【摘 要】
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采用三层胶光刻工艺以及ＳＦ６＋Ａｒ为反应气体的反应离子刻蚀工作，实现了小于０．５０μｍ的图形转移，并将此微细加工工艺应用于０．５０μｍＣＭＯＳ集成电路的制做。
【机 构】
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航天工业总公司二院计算机应用和仿真技术研究所,西安微电子技术研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1994年1期
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