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有机稀土Ｅｕ（ＤＢＭ）３ｂａｔｈ配合物电致发光＊梁春军李文连＊＊洪自若彭俊彪ａ）虞家琪ａ）赵丹赵东旭（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）ａ）（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）关键词有机电致发光，稀土配合物，窄带发射近几...
有机稀土Eu（DBM）3bath配合物电致发光
【摘 要】
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有机稀土Ｅｕ（ＤＢＭ）３ｂａｔｈ配合物电致发光＊梁春军李文连＊＊洪自若彭俊彪ａ）虞家琪ａ）赵丹赵东旭（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）ａ）（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）关键词有机电致发光，稀土配合物，窄带
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1998年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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本同了集成光学声光频谱分析器的基本结构的工作原理。给出了集成光学芯片上各种集成光学元件和导波声光调制器的制作技术，并给出了组装一体化机的结构工艺要点。
以三甲基铟（ＴＭＩｎ）、砷烷（ＡｓＨ３）、三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基锑（ＴＭＳｂ）为源，用水平常压ＭＯＣＶＤ技术，在较低的Ⅴ／Ⅲ比的条件下（１．５～４）于ＧａＡｓ和ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＩｎＡｓ合金和ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ异质结．实验表明，生长温度在５００℃～６２０℃范围内，ＩｎＡｓ外延生长是扩散控制的．在
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通过简化的三角势垒模型计算发现的第三代电致发光器件中，ＣｄＳ层确定对提供初电子有利。用计入非晶效应的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法进行模拟计算，证明非晶ＳｉＯ２层比ＺｎＳ层有更好的加速作用，从而有利于提高器件蓝
采用ＢＭＰＰＶ：ＰＶＫ的混合物作国源介质，将其按一定比例溶于氯仿中，并旋涂在具有９９．５％的反射率的ＤＢＲ上，其上蒸发３００ｎｍ的银膜，形成了面发射型微腔结构，其中ＤＢＲ在入射腔面，银膜为反射腔面，在激发波长３３７．１ｎｍ，频率２０Ｈｚ脉宽１０ｎｓ的氮分子
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报道了用５，６，１１，１２０四苯基四苯并掺杂８－羟基喹啉铝作为发光层的单层电致发光器件（ＬＥＤ），改变两种洒料的掺杂比得到一系列共混体系的发光特性，通过分析得出存在着从Ａｌｑ到Ｒｕｂｒｅｎｅ的高效率能量转移：Ａｌｑ＋Ｒｕｂｒｅｎｅ→Ａｌｑ＋Ｒｕｂｒｅｎｅ→ｈｖ单怪器件
本文报导了２Ｋ下，在ＧａＡｓ（１００）衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ多量子阱材料的光致发光光谱和喇曼散射谱，用共振激发，共振喇曼和共振瑞昨散射等方法对各发光谱带和喇曼散射峰的来源和机制进行了鉴别。
研究了在铝酸盐蓝色荧光粉ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ中用Ｃａ代替部分Ｂａ的效果，结果表明，约４～１２ｍｏｌ％的Ｂａ和Ｃａ取代后，抑制了５００ｎｍ以上的工波绿色发射，色坐标Ｙ值减小，而发射峰强度增高，从而改善了这种蓝色荧光粉的性能。
在大屏幕视频显示的研究中，通常将侧重点放在显示驱动电路的优化上，本文从人眼的主观视觉理论屈发，讨论了大屏幕社频图象显示与主观视觉之间的关系，并提出了一种很好的校正理论。