1月9日，Intel宣布和美光的NAND flash合作将在2018年完成第三代3D NAND flash的研发后终止。目前，英特尔和美光正在进行的第二代64层3D NAND flash的增产工作将不会受此影响。由于Intel和美光都是NAND flash领域前五大企业，两家企业相关技术合作的终止可能对未来相关市场格局造成重大影响。
　　目前，NAND flash是被广泛使用的非易失性存储器产品，产品被广泛使用在智能手机、个人电脑、平板电脑、数据中心等市场中，2017年全球NAND flash产品销售额高达550亿美元。现今，NAND flash已经发展至1X nm工艺制程，但是由于先进工艺制程造成了NAND氧化层越来越薄、可靠性越来越差的问题。为提高存储器的容量、性能、可靠性，各大NAND flash已經开始通过堆叠形式研发和生产3D NAND flash产品。Intel和美光共同开发的最新第三代3D NAND flash预计将达96层设计。
　　结合早在2012年，Intel就已经将其所持的双方合资企业 IMFT 的全部股份卖给了美光，以及后来Intel未参与美光16nm平面NAND的研发。很可能是Intel在经营理念上与美光不同，Intel倾向于将芯片应用于自己生产的SSD，而美光则更倾向于作为供应商参与竞争，之后导致了两家企业在选择新一代技术路线上的分歧，并最终导致了Intel与美光的“分手”。
　　存储器领域，Intel和美光除在3D NAND flash技术的合作，还在3D XPoint技术进行着前沿技术的研究。3D XPoint是自1989年NAND flash技术面世以来首款基于全新技术研发的非易失性存储器技术。该技术集现有存储器技术在性能、功耗、密度、非易失性、可靠性、成本等方面的优势于一身，未来面世后将成为一种优异的存储器产品。基于此，Intel和美光在3D XPoint技术上合作的成功将极大提升两家企业在存储器领域的行业竞争力。所以3D XPoint技术路线将成为两家企业未来继续合作的重点。
　　为了加强在中国NAND flash市场的地位，Intel早先计划提升其在大连的12英寸晶圆厂的产能。有媒体透露，Intel将考虑和中国相关存储器企业合作，通过技术授权的方式以便在与美光的合作结束后能够快速地在中国生产3D NAND芯片。若消息属实，将有利于中国相关存储器企业的研发进度。
　　（赛迪智库）