Electron Spectroscopy Studies on SiC Films before and after Hydrogen Ion Irradiation

来源 :武汉理工大学学报：材料科学英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sunchaoemo

【摘要】

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The ion beam mixing prepared SiC films on stainless steel substrates were irradiated by hydrogen ion beam with an energy of 5 keV to a dose of 1×1018 ions/

【作者】

：

HUANGNingkang YANGBing WANGDez

【机构】

：

KeyLaboratoryForRadiationPhysicsandTechnologyofEducationMinistryofChina

【出处】

：

武汉理工大学学报：材料科学英文版

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

SIC薄膜氢离子显微分析电子能谱 SiC films hydrogen ion inadiation microanalyses

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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The ion beam mixing prepared SiC films on stainless steel substrates were irradiated by hydrogen ion beam with an energy of 5 keV to a dose of 1×1018 ions/cm2. AES and XPS were used for the characterization of chemical bonding states of C and Si elem

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