SIC薄膜相关论文
随着工业技术的迅猛发展,越来越多的机械零部件需要在高温下运行,因此开发相应的高温润滑材料显得尤为重要。SiC薄膜因其优异的性......
SiC作为第三代半导体的代表,具有优良的光电特性。SiC薄膜的宽带隙、强的非线性光学响应使其在制备微电子集成和光电子器件领域前......
SiC薄膜是一种物理、化学性能优良的功能材料,具有良好的热传导率、高硬度以及化学稳定性好等优点,被广泛的应用于核防护、微电子......
锂离子电池具有能量密度高、循环寿命长和环境友好等特点,被广泛应用在便携式电器和电动汽车领域。锂离子电池的关键技术之一是开......
材料科学的各分支中,薄膜材料科学的发展一直占据了极为重要的地位。薄膜材料是相对块体材料而言的,是人们采用特殊的方法,在块体......
由于SiC的宽禁带性质,SiC制备的紫外光电探测器可在极端条件下应用于生化检测、可燃性气体尾焰探测、臭氧层监测、短波通讯以及导......
第一章综述了SiC材料基本的物理化学性质以及SiC材料和器件的研究进展.包括SiC的基本结构、同质多型、热学和光学性质、电学特性等......
本论文研究了脉冲栅控行波管中，Hf薄膜对抑制栅极电子发射所起的作用，讨论了Hf薄膜的工作机理。实验中，利用射频磁控溅射技术在Mo基底......
SiC作为一种优秀的微电子材料,以其禁带宽、饱和电子漂移速度大、临界雪崩击穿电场高和热导高的特点,在大功率、高频、耐高温、抗......
采用射频反应磁控溅射法在中国低活化马氏体(CLAM)不锈钢表面制备了单层A12O3、SiC、W薄膜以及SiC/A12O3、W/A12O3双层膜。对所制......
碳化硅在场致发射(u0006EE)应用中除了具有金刚石的一般优点之外,还具有易于n型或者p型掺杂的特性.本文用APCVD方法研制了一种SiC......
利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiC薄膜 ,并利用x射线衍射 (XRD)和红外 (IR)吸收谱对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析 ......
单晶硅中注入高剂量的C+离子，注入能量为50keV，经高温退火后形成β-SiC沉淀，再经电化学腐蚀形成多孔β-SiC，样品表面蒸上一层半透明的......
对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂 ,B掺杂效率比P高 ,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer Neldel规则 ,并有反转Meyer Neldel规则......
考察了SiC薄膜对块体纳米结构钛力学和摩擦性能的影响。实验采用磁控溅射技术制备SiC薄膜（样品台不加温），使用划痕仪测量界面结合力，采......
采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜，研究了SiC薄膜经不同温度和气氛条件高温退火前后结构、成份的变化．结果表明，薄膜主要以非晶......
在不锈钢基体表面用离子束混合技术沉积SiC薄膜，然后用能量为5keV的H^＋对其辐照直至剂量达到1×10^18／cm^2，再用二次离子质谱分析（S......
该文报道了一种可承受33kV偏置电压的光导开关结构。该结构从两方面提高光导开关的耐压特性：两层厚度为20μm的3c—SiC薄膜采用HFCV......
利用中频磁控溅射方法,采用氧化锌镓ZGO（97.5%ZnO＋2.5%Ga2O3）陶瓷靶材和SiC陶瓷靶材,制备了ZGO和SiC/ZGO复合薄膜.考察了制备SiC膜时......
在PECVD法制备SiC薄膜过程中,深入研究了工作气压及工作气体中氢稀释比例对薄膜的影响,发现以上两个参数是通过共同调整等离子体状......
为了改进空芯传能光纤对10.6μm处CO2激光的传输性能,研制了具有SiC内膜的新型空芯玻璃波导,利用SEM和FTIR等技术分析了反应条件对......
碳化硅(SiC)材料是一种近十几年发展起来的第三代宽禁带半导体材料,具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子漂移速率,是制造高温、......
以甲烷、硅烷和氢气为反应气体，采用热丝化学气相沉积（HFCVD）法在单晶硅衬底上沉积纳米晶体碳化硅（SiC）薄膜．通过X射线衍射（XRD）和扫描电子......
近年来，国内外SiC薄膜材料制备工艺研究迅速发展，由此带来SiC薄膜性能方面的研究也获得长足的进步，新技术、新工艺、新性能不断涌现。......
文章采用电子束蒸发物理气相沉积（EB-PVD）技术在单晶si片上制备SiC薄膜，通过台阶仪（surface profiler）、原子力显微镜（AFM）、半导体综合测......
近20年以来，薄膜科学得到迅速发展，不仅得益于薄膜材料可能具有力、热、光、电、磁、仿生或化学等各种特性，可以使器件小型化，而且也得......
在850 ℃的低温下,在Si(100)衬底上生长了3C-SiC薄膜,气源为SiH4和C2H4混合气体.用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱......
采用射频磁控溅射的方法在Si衬底上制备了掺Mn的SiC薄膜，用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、扫描电镜及荧光光谱等方法，对薄膜的结构......
介绍了SiC薄膜的一种主要制备方法——化学汽相沉积（CVD）法制备SiC薄膜的近年研究进展，并对所制备薄膜的结构特征与物理性质进行了简......
采用分步偏压辅助射频溅射法在316L不锈钢表面制备SiC薄膜,作为聚变堆第一壁及包层结构材料的氚渗透阻挡层.扫描电镜观察表明,制备......
目前,SiC薄膜在极端苛刻环境下的力学性质尚不明确,相关力学参数仍需进一步研究。文章采用模拟软件ANSYS对微尺寸的SiC薄膜在不同......
SiC作为如今越来越热门的第三代宽禁带半导体材料,拥有热导率高、饱和电子漂移速度高、禁带宽度大、击穿电场高、热稳定性高等一系......
讨论了在热丝化学汽相沉积(HFCVD)法沿Si(111)晶面异质生长SiC薄膜的过程中,预处理工艺对SiC成膜的影响.采用硅烷、甲烷作为反应气......
SiC具有较大的带隙宽度和优异的热稳定性,可在高功率、高温(高达600℃)和高频(高达20GHz)条件下工作,在半导体器件中有着广泛的应......
碳化硅(SiC)是新的第三代半导体的典型代表之一,与第一代半导体(Si为代表)、第二代半导体(GaAs为代表)相比较,其具有更高的熔点、......
本文由两篇构成,第一篇是微波低噪声放大器(LNA)毁伤机理研究,第二篇是SiC薄膜的外延生长与等离子体刻蚀技术研究。由于半导体器件......
能源、材料、信息科学是新技术革命的先导和支柱。作为特殊形态材料的固体功能薄膜材料,在纳米电子学、微电子学、光电子学、磁电......
文章采用射频磁控溅射法在烧结钕铁硼表面沉积SiC薄膜,将制备的薄膜分别在200、400℃氩气气氛中退火120min。用X射线衍射仪和原子......
通过磁控溅射方法在烧结钕铁硼磁体表面分别沉积SiC薄膜、SiC/Al双层膜、SiC/AIN双层膜和(SiC/AlN)2多层膜。通过XRD、AFM、FESEM......
分析研究了热丝化学汽相沉积(HFCVD)法工艺参数的变化对SiC薄膜质量的影响.结果表明 ,合理的选取工艺参数,可在较低温度(700～900℃)......
采用先驱体转化法在C/C复合材料基底表面制备了厚度为3~5μm的SiC薄膜和Si3N4薄膜;用球-盘对磨的方式测试了C/C复合材料基底、SiC......
采用射频磁控溅射和后退火的方法在单晶Si（111）衬底上制备了SiC薄膜。采用红外吸收谱仪（FTIR）和X射线光电子谱仪（XPS）分析了薄膜的结构。......
单晶硅中注入高剂量的Ｃ＋ 离子，注入能量为５０ｋｅＶ，经高温退火后形成β－ＳｉＣ沉淀，再经电化学腐蚀形成多孔β－ＳｉＣ，样品表面蒸上一层半透明的金膜，在正向偏压......
用磁控溅射的方法在40Cr钢的表面制得了SiC薄膜。通过X射线衍射、傅里叶红外光谱分析、摩擦磨损以及划痕试验研究了工艺参数、溅射......
采用磁控溅射的方法溅射SiC靶材所制备的碳化硅薄膜由于制备过程中碳易被溅射气体带走而很难形成结构较好的晶态结构。采用纯物理......
用射频磁控溅射法制备了SiC薄膜，并对其进行了退火处理。用AFM观察了薄膜的表面形貌，测量了薄膜的厚度与透射光谱。用J．C．Manifacier提......
采用射频磁控溅射技术和复合靶材方法制备了掺Mn,掺Co和Co、Mn共掺的SiC薄膜,经高温退火后进行了光致发光（PL）谱的测量,还用X射线衍......
