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采用脉冲激光烧蚀技术，在真空条件下沉积了一系列非晶Si薄膜，并对薄膜样品进行不同能量密度的激光退火处理。通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、Raman散射仪（Raman）等手段对退火后的薄膜进行形貌、晶态成分表征，确定了非晶Si薄膜晶化的激光能量密度阈值（85mJ／cm^2）。结合激光晶化机理进行定量计算。结果显示：形成一个18nm的Si晶粒所需要的能量，即成核势垒大小约为1．4×10^-9mJ。