【摘 要】
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利用分子束外延技术在GaSb衬底上生长了高质量的InAs/InAsSb(无Ga)Ⅱ类超晶格.超晶格的结构由100个周期组成,每个周期分别是3.8 nm厚的InAs层和1.4 nm厚的InAs0.66Sb0.34层.在实验过程中出现了一种特殊的尖峰状缺陷.利用高分辨率x射线衍射(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)对外延的超晶格进行了表征和分析.结果表明,优化后的样品几乎为零晶格失配,超晶格0级峰半峰宽为39.3 arcsec,表面均方根粗糙度在10μm×10μm范围内达到1
【机 构】
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云南师范大学能源与环境科学学院,云南昆明650092;中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083;中国科学技术大学量子信息与量子科技前沿协同创新中心,安徽合肥230026;华南
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利用分子束外延技术在GaSb衬底上生长了高质量的InAs/InAsSb(无Ga)Ⅱ类超晶格.超晶格的结构由100个周期组成,每个周期分别是3.8 nm厚的InAs层和1.4 nm厚的InAs0.66Sb0.34层.在实验过程中出现了一种特殊的尖峰状缺陷.利用高分辨率x射线衍射(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)对外延的超晶格进行了表征和分析.结果表明,优化后的样品几乎为零晶格失配,超晶格0级峰半峰宽为39.3 arcsec,表面均方根粗糙度在10μm×10μm范围内达到1.72?.红外吸收光谱显示50％的截止波长为4.28μm,PL谱显示InAs/InAs0.66Sb0.34超晶格4.58μm处有清晰锐利的发光峰.这些结果表明,外延生长的InAs/InAsSb超晶格稳定性和重复性良好,值得进一步的研究.“,”In this paper,high quality InAs/InAsSb(Ga-free)type-Ⅱ superlattice were grown on GaSb substratesby molecular beam epitaxy. The superlattice layers structure consists of 100 periods with 3. 8 nm thick InAs lay-ers and 1. 4 nm InAs0. 66Sb0. 34 layers. A specific spike-like defect was found during experiment. The epitaxial layer was characterized and analyzed by high-resolution x-ray diffraction(HRXRD),atomic force microscope(AFM) and Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR). The results show that the optimized sample is almost zero lattice mismatched,the FWHM of the zeroth order SL peak is 39. 3 arcsec,the RMS surface roughness achieves around 1. 72? over an area of 10μm×10μm. The FTIR absorption spectrum shows a 50％cutoff wavelength of 4. 28μm. And PL spectrum shows that the peak of InAs/InAs0. 66Sb0. 34 SL is at 4. 58μm. These initial results indi-cate that the grown InAs/InAsSb SL is stable and reproducible,and thus it is worthy of further investigation.
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