【摘 要】
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硅直接链合（SDB）技术用于制备SOI片（BESOD）是键合技术的最重要应用之一，研究了制备BESOI片中的键合和减薄问题，获得了大面积的均匀单晶硅膜，通过实验分析了这种方法获得的薄膜的平整
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硅直接链合（SDB）技术用于制备SOI片（BESOD）是键合技术的最重要应用之一，研究了制备BESOI片中的键合和减薄问题，获得了大面积的均匀单晶硅膜，通过实验分析了这种方法获得的薄膜的平整度和影响因素。并针对压力传感器的敏感膜，通过两次键合及SOI自停止腐蚀成功制备了厚度可控的均匀单晶硅薄膜，硅膜表面质量优良，平整度在±0．15μm的范围内。
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