【摘 要】
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对10.16 cm（4英寸）三层复合结构P型硅外延片的制备工艺进行了研究。利用PE-2061S型桶式外延炉,在重掺硼的硅衬底上采用化学气相沉积的方法成功制备P~-/P~＋/P/P~＋型硅外延层。通过
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
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对10.16 cm（4英寸）三层复合结构P型硅外延片的制备工艺进行了研究。利用PE-2061S型桶式外延炉,在重掺硼的硅衬底上采用化学气相沉积的方法成功制备P~-/P~＋/P/P~＋型硅外延层。通过FT-IR（傅里叶变换红外线光谱分析）、C-V（电容-电压测试）、SRP（扩展电阻技术）等测试方法对各层外延的电学参数以及过渡区形貌进行了测试,最终得到结晶质量良好、厚度不均匀性〈3%、电阻率不均匀性〈3%、各界面过渡区形貌陡峭的P型硅外延片,可以满足器件使用的要求。
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