论文部分内容阅读
在复杂实验条件下,需采用非易失性铁电存储器记录重要数据.为防止二次上电时实验数据被覆盖,需设计防掉电功能.文中介绍了一种F-RAM的防掉电设计思路,并基于现场可编程门阵列实现,板级验证工作正常,并已在相关项目中得到应用且达到了预期功能.
基于FPGA的F-RAM防掉电设计
【摘 要】
：
在复杂实验条件下,需采用非易失性铁电存储器记录重要数据.为防止二次上电时实验数据被覆盖,需设计防掉电功能.文中介绍了一种F-RAM的防掉电设计思路,并基于现场可编程门阵列
【机 构】
：
北方通用电子集团有限公司数字工程部
【出 处】
：
电子科技
【发表日期】
：
2014年7期
其他文献
美国科学史家杰拉尔德*霍尔顿(Gerald J. Holton, 1922-)<科学与反科学>中译本出版已近五年,这本凝结着中美两国学者之心血的著作在当代中国的问世,对于中国社会受众理解科学