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文章基于1．5υm厚顶层硅SOI材料，设计了用于200V电平位移电路的高压LDMOS，包括薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS。薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS都采用多阶场板以提高器件耐压，厚栅KpLDMOS采用场注技术形成源端补充注入，避免了器件发生背栅穿通。文中分析了漂移区长度、注入剂量和场板对器件耐压的影响。实验表明，薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS耐压分别达到344V和340V。采用文中设计的高压器件，成功研制出200V高压电平位移电路。