Characteristics of n-InAs/p-InAsSb heterojunctions with a cutoff wavelength of 4.8 μm

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有 4.8 m 的截止波长的 n-InAs/p-InAsSb 异质接面被一步舞液体阶段取向附生(LPE ) 成功地种技术。扫描电子显微镜学(SEM ) 图象和 X 光检查衍射(XRD ) 模式显示出镜子光滑的表面,扁平的接口,和异质接面的好水晶的质量。Fourier 变换红外线(FTIR ) 发射度系列展出了 InAsSb epilayers 的截止波长到达 4.8 m。标准当前电压(IV ) 有在 1.02 的零偏爱(R 0 A ) 的高 differential-resistance-area-pro
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