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Vishay推出具有业内较低导通电阻的新款P沟道MOSFETSi7157DP，扩充其T怕nchFETP沟道GenIII功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016Q和0．0020Ω。
Si7157DP：P沟道MOSFET
【摘 要】
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Vishay推出具有业内较低导通电阻的新款P沟道MOSFETSi7157DP，扩充其T怕nchFETP沟道GenIII功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016Q
【出 处】
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世界电子元器件
【发表日期】
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2014年3期
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