P沟道MOSFET相关论文
用一只精心挑选的运放、一个低阈值的P沟道MOSFET，以及两只反馈电阻，就可以做出一个正向压降小于二极管的整流电路（图1）。整流后的输出......
采用1mm×1．5min×0．4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P......
飞兆半导体（Fairchild）推出40VP沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141。FDD4141具有低导通阻抗，与目前的M0SFET相比能降低栅极电荷（QG）达5......
Vishay Intertechnology，Inc．推出首款采用芯片级MICROFOOT封装的P沟道第三代ThnchFET功率MOSFET—Si8499DB。在1．5mm×1mm的占位......
VishayIntertechnology,Inc．宣布其Si7655DN一20VP沟道GenIII功率MOSFET荣获EDNChina2013创新奖之电源器件和模块类最佳产品奖。......
NUS3116集成了主电源开关-12V、-6．2A的μCO01单P沟道MOSFET，处理主电池开关功能；还集成了两个内部低饱和PNP晶体管，处理双沟道充电功......
LTC3113包括两个N沟道MOSFET和两个P沟道MOSFET，以提供高达96％的效率。用户可选突发模式（BurstMode）工作将静态电流降至仅为40uA，从而提......
FDMC86XXXP系列P沟道PowerTrenchMOSFET在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。该系列包括FDMC86261I’150V和FDMC8613......
LT8709是负至负或负至正DC／DC转换的同步PWM控制器。该器件无须复杂的电平转换电路，就能够独特地解决相对于系统地的负电压的调节问......
符合AEC-Q100标准的A6274和A6284器件包括了许多新功能，以便进一步提升现有的线性LED驱动器产品系列的性能。这些新的低电磁干扰IC......
<正> 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出P沟道MOSFET—FDZ299P,在超小型的1.5×1.5mmBGA(球栅阵列)封装内采用高性......
飞兆半导体的40V P沟道Power Trench MOSFET产品FDD4141，可将开关损耗减少一半。FDD4141具有低导通阻抗[RDS（ON）]，与目前的MOSFET比较......
Maxim推出过压保护控制器MAX16914／MAX16915，适用于汽车和工业系统等必须能够承受较高瞬态电压及故障状态的应用。这两款器件采用独......
研诺逻辑科技推出AAT4616智能开关系列。AAT4616系列为专门针对高端负载开关应用而设计的完全可调、低导通阻抗（RDS（ON））、超高精度限......
IR推出新系列．30V器件，采用IR新的SO-8封装P沟道MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统／负载开关。......
Vishay推出具有业内较低导通电阻的新款P沟道MOSFETSi7157DP，扩充其T怕nchFETP沟道GenIII功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在......
安森美公司的LV5980MC是一款内嵌P沟道MOSFET的单通道DC，DC转换器，工作电压范围为4．5V～23V，最大输出电流为3A。可实现低功率损耗，操作电......
美国模拟器件公司生产的固定频率电流模式DC／DC步降变换器控制器ADP1864与凌特公司的LTC1772和LTC3801引脚兼容。ADP1864输入电压Vi......
日前，Vishay Intertechnology，Inc．（威世科技）宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET——Si7157DP，扩充其TrenchFET P沟道GenII......
飞兆半导体公司近日推出40VP沟道Power Trench MOSFET产品FDD4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。FD......
飞兆半导体为手机和手持移动产品设计人员提供一款带有高集成度过电压保护（OVP）和USB／充电器检测功能的器件FAN3988。该器件是飞兆半......
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（InternatfOnalRectifier，简称IR）推出新系列-30V器件，采用IR最新的SO-8封装P沟......
飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出采用1mm×1．5mm×0．4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应......
凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出坚固的双路”理想二极管”电源通路（PowerPathTM）控制器LTC4416和LTC4416-1，用于在电......
飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS（ON）的20V 2mm×2mm×055mm薄型MicroFET ......
SiA433EDJ是采用第三代TrenchFETP沟道技术的最新器件，将P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半，在4．5V、2．5V和1．8V下的导通电阻分别为18m......
