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本文介绍在刻楷Si衬底上用分子束外延嵌入生长GaAs的异质共平面技术。用横截面透射电子显微镜对槽壁非平面异质结的生长行为和微结构进行了研究,结果表明:槽壁的几何因素对外延层的成核行为和生长行为有一定影响,和Si[001]晶面相比,Si[113]可能是一个有利于半导体异质结生长的晶面。
刻槽Si衬底上GaAs微结构研究
【摘 要】
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本文介绍在刻楷Si衬底上用分子束外延嵌入生长GaAs的异质共平面技术。用横截面透射电子显微镜对槽壁非平面异质结的生长行为和微结构进行了研究,结果表明:槽壁的几何因素对外
【机 构】
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中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学实验室北京100083
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1991年6期
【基金项目】
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中科院半导体所所长基金,,国家自然科学基金,,超晶格国家重点实验室资助
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