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文章报道了90nm栅长的晶格匹配InP基HEMT器件。栅图形是通过80kV的电子束直写的，并采用了优化的三层胶工艺。器件做在匹配的InAlAs／InGaAs／InP HEMT材料上。当Vds=1．0V时，两指75μm栅宽器件的本征峰值跨导达到720ms／mm，最大电流密度为500mA／mm，器件的阂值电压为．0．8V，截止频率达到127GHz，最大振荡频率达到152GHz。