高跨导AlGaN/GaN HFET器件研究

来源 :城市道桥与防洪 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wwxxzz123

【摘要】

：

报道了蓝宝石衬底上AlGaN/GaN HFE T的制备以及室温下器件的性能.器件栅长为0.8 μm,源漏间距为3 μm,得到器件的最大漏电流密度为0.7 A/mm,最大跨导为242.4 mS/mm,截止频率(

【作者】

：

张志国杨瑞霞李丽王勇冯震李献杰杨克武

【机构】

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河北工业大学信息工程学院,天津,300130中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;河北工业大学信息工程学院,天津,300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051

【出处】

：

城市道桥与防洪

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

AlGaN/GaN 异质结场效应晶体管跨导输出特性直流特性

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报道了蓝宝石衬底上AlGaN/GaN HFE T的制备以及室温下器件的性能.器件栅长为0.8 μm,源漏间距为3 μm,得到器件的最大漏电流密度为0.7 A/mm,最大跨导为242.4 mS/mm,截止频率( fT)和最高振荡频率(fmax)分别为45 GHz和100 GHz.同时器件的脉冲测试结果显示,SiN钝化对大栅宽器件的电流崩塌效应不能彻底消除.

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