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利用闭合磁场非平衡磁控溅射工艺制备出C掺杂型NiCr合金薄膜电阻材料，获得了电性能优于NiCr合金薄膜的NiCrC薄膜电阻材料。实验结果表明： NiCr薄膜中掺杂C元素后，薄膜的择优取向由Ni（011）变为Ni（111）；薄膜的缺陷和应力得以减小；薄膜中C元素具有类石墨性质。
C掺杂型NiCr合金薄膜的电性能和微观结构
【摘 要】
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利用闭合磁场非平衡磁控溅射工艺制备出C掺杂型NiCr合金薄膜电阻材料，获得了电性能优于NiCr合金薄膜的NiCrC薄膜电阻材料。实验结果表明： NiCr薄膜中掺杂C元素后，薄膜的择优取向
【机 构】
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宁波工程学院材料学院,中国科学院深圳先进技术研究院
【出 处】
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宁波大学学报(理工版)
【发表日期】
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2014年2期
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