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器件尺寸的缩小和新材料的引入给清洗带来的挑战，在多个版本的ITRS（国际半导体技术蓝图）中都有概述。简单的说，清除污染物需要最小的材料损失并且不能修改对损伤很敏感的材料结构。这对于从无支撑多晶硅栅结构上去除可能导致良率下降的污染物来说更是如此。在寻找满足这些要求的方案的过程中，研究了很多单晶圆清洗技术用于对敏感结构的无损伤清洗。然而，简单地把这些技术转移到单晶圆平台并不能保证它们能够满足所有的工艺要求。即使是单晶圆清洗，无损伤清洗的工艺限制也变得越来越明显。对于特征尺寸小于100纳米器件的无损伤清洗，单晶