【摘 要】
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采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理平面波超软赝势方法研究了Co掺杂前、后亚稳相γ-Bi2O3的电子能带结构、电子态密度以及光学性质。计算结果表明,Co掺杂后Bi原子电荷布居
【机 构】
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河北大学电子信息工程学院,河北大学计算材料与器件模拟研究中心
【基金项目】
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河北大学大学生创新创业训练计划投资项目（No：2017076）
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采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理平面波超软赝势方法研究了Co掺杂前、后亚稳相γ-Bi2O3的电子能带结构、电子态密度以及光学性质。计算结果表明,Co掺杂后Bi原子电荷布居数部分增大,部分减小,O原子布居数均下降;同时在禁带中引入杂质能级,使γ-Bi2O3的禁带宽度变小;Co掺杂导致对近紫外光吸收增加,对可见光吸收减弱,吸收边蓝移。
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