n型掺杂半导体In／Nb-SrTiO3金属异质结变温J～V特性的研究

来源 :低温物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kick_78

【摘要】

：

利用Nb替代Ti的导电Nb-SrTiO3(Nb-STO)衬底我们制备得到了Nb-STO/金属异质结并测量了异质结的J～V曲线.氧化物半导体Nb-STO/金属异质结的J～V曲线显示出与由Schottky势垒模型描述

【作者】

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刘大猛连贵君熊光成

【机构】

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北京大学物理学院

【出处】

：

低温物理学报

【发表日期】

：

2004年4期

【关键词】

：

异质结氧化物半导体衬底二极管掺杂势垒器件理想对数数据拟合

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利用Nb替代Ti的导电Nb-SrTiO3(Nb-STO)衬底我们制备得到了Nb-STO/金属异质结并测量了异质结的J～V曲线.氧化物半导体Nb-STO/金属异质结的J～V曲线显示出与由Schottky势垒模型描述的理想半导体/金属二极管有很多不同.利用对数据拟合的结果,我们讨论了与理想半导体模型的差别.在Nb-STO作为新的氧化物半导体材料被引入器件时,偏离理想的半导体模型应该是正常的.

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