【摘 要】
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广泛用于３００～５００ｎｍ波长范围低功率辐射探测的硅（Ｓｉ）ＰＩＮ光电二极管现在已有竞争对手。德国维尔兹堡大学物理所的研究人员用Ⅱ－Ⅵ族半导体材料硒化锌镁硫（ＺｎＭｇＳＳｅ）已制成一种ＰＩＮ光电二极管，这种材料以前主要用
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广泛用于３００～５００ｎｍ波长范围低功率辐射探测的硅（Ｓｉ）ＰＩＮ光电二极管现在已有竞争对手。德国维尔兹堡大学物理所的研究人员用Ⅱ－Ⅵ族半导体材料硒化锌镁硫（ＺｎＭｇＳＳｅ）已制成一种ＰＩＮ光电二极管，这种材料以前主要用于某些发蓝光二极管激光器的制造。Ｚ
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