【摘 要】
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本文阐述了MOS器件的窄沟道效应,窄沟道效应对MOS器件的阈值电压的影响以及与窄沟道效应有关的各种因素,并且通过在不同衬底偏置电压条件下测量一组不同沟道宽度的MOS器件的
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本文阐述了MOS器件的窄沟道效应,窄沟道效应对MOS器件的阈值电压的影响以及与窄沟道效应有关的各种因素,并且通过在不同衬底偏置电压条件下测量一组不同沟道宽度的MOS器件的阈值电压的变化论证了这些现象和机理。本文还叙述了在实际的MOS器件电路制造中,合理地选择工艺参数和工艺条件,可以减弱窄沟道效应。
This article describes the narrow-channel effects of MOS devices, the effects of narrow-channel effects on the threshold voltage of MOS devices, and various factors associated with narrow-channel effects, and by measuring a set of variations at different substrate bias voltages Variations in the threshold voltage of MOS devices with channel width justify these phenomena and mechanisms. This article also describes the actual MOS device circuit manufacturing, the reasonable choice of process parameters and process conditions, can narrow the narrow channel effect.
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