ISFET传感器偏置电路

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【摘要】

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ISFET(离子敏感场效应晶体管)可用于测量流体的酸性.精确的测量要求ISFET的偏置条件(ID和VDS)保持恒定,同时栅极直接接触被测流体.流体的酸性改变通道宽度,从而产生一个与流

【机构】

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Analog Devices,Wilmington,MA

【出处】

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电子设计技术

【发表日期】

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2004年10期

【关键词】

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传感器离子敏感场效应晶体管电压流体测量放大器输入放大器直接接触栅极通道宽度酸性实现方法漏极电流测量要求高精度增益偏置配置精密

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ISFET(离子敏感场效应晶体管)可用于测量流体的酸性.精确的测量要求ISFET的偏置条件(ID和VDS)保持恒定,同时栅极直接接触被测流体.流体的酸性改变通道宽度,从而产生一个与流体的PH值成正比例的栅极-源极电压VGS.图1所示电路是一种更简单、更精确的实现方法.电压VA通过ISFET Q1设定漏极电流ID,而电压VB设定Q1的漏极-源极电压VDS.两个AD8821型高精度测量放大器IC1和IC2均配置得具有等于1的增益.IC3是AD8627型精密JFET输入放大器,它缓冲漏极电压VD,确保流经R1的电流全都流经Q1.

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